眾所周知，在集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉(zhuǎn)移、加工和形成環(huán)節(jié)，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內(nèi)晶體管的數(shù)量，是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。而隨著半導(dǎo)體工藝向7nm及以下節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。

由于EUV光刻機(jī)中采用強(qiáng)相干光源在進(jìn)行光刻時(shí)，相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個(gè)子光束具有固定的相位關(guān)系，當(dāng)這些子光束投射在掩膜版上疊加時(shí)會(huì)形成固定的干涉圖樣，出現(xiàn)有明暗變化、光強(qiáng)不均勻的問題，因此，必須先進(jìn)行去相干處理(或者采用避免相干影響)，達(dá)到勻光效果，以保證光刻工藝的正常進(jìn)行。

根據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)的消息，華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項(xiàng)于光刻技術(shù)相關(guān)的專利，專利申請(qǐng)?zhí)枮?02110524685X。據(jù)悉，該專利申請(qǐng)?zhí)峁┮环N反射鏡、光刻裝置及其控制方法，涉及光學(xué)領(lǐng)域，能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而<愛尬聊_尬聊生活>無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎(chǔ)上進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)而達(dá)到勻光的目的，進(jìn)而解決了相關(guān)技術(shù)中因相干光形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。